物料檢驗(yàn)工作指引-半導(dǎo)體元件
綜合能力考核表詳細(xì)內(nèi)容
物料檢驗(yàn)工作指引-半導(dǎo)體元件
Standard Success Groups Ltd.
標(biāo)準(zhǔn)志成集團(tuán)有限公司
物料檢驗(yàn)工作指引-半導(dǎo)體元件 受控狀態(tài)
文件編號(hào) SS-QC-021 版 本 A
頁(yè) 號(hào) 1/8 生效日期 2004-4-8
1.0 參考文件
1.1 P/O單;
1.2 半導(dǎo)體元件規(guī)格;
1.3 工程部所簽發(fā)樣板
1.4 OT2型晶體管特性圖示儀使用說(shuō)明書
1.5 穩(wěn)壓二極管測(cè)試裝置操作指引
1.6 發(fā)光二極管測(cè)試裝置操作指引
2.0 所包括物料范圍
晶體三極管/整流二極管/穩(wěn)壓二極管/發(fā)光二極管
3.0 允收品質(zhì)水平(MIL-STD-105E)
AQL: Critical (極嚴(yán)重)0.0
Major(嚴(yán)重) 0.25
Minor(輕微) 1.0
4.0 程序
4.1 核對(duì)所進(jìn)電子元件是否符合送貨單和P/O單等收貨資料要求
4.2 按MIL-STD-105E普通檢驗(yàn)水平Д、單次抽樣
(檢查元件尺寸之樣品數(shù)見(jiàn)4.3)
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
4.3 檢查元件尺寸: 參照半導(dǎo)體元件規(guī)格和DE所簽發(fā)樣品
依據(jù)特殊檢驗(yàn)水平 若元件本體或引腳尺寸超出半導(dǎo)體規(guī)格
S-1抽取樣品數(shù), 上要求值 Major
使用千分尺和游標(biāo)
卡尺測(cè)量
4.4 檢查晶體三極管/
整流二極管(整 參照半導(dǎo)體元件規(guī)格
流橋)等元件性能
編制 審核 審批
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頁(yè) 號(hào) 2/8 生效日期 2004-4-8
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
使用QT2型晶體管
特性圖示儀進(jìn)行測(cè)
試
a按QT2晶體管特性
圖示儀使用說(shuō)明書要
求進(jìn)行測(cè)試前調(diào)校
b選擇合適的測(cè)試盒
將被測(cè)管接入測(cè)試
回路中
c根據(jù)被測(cè)試管極性
選擇PNP、NPN位置
,同時(shí)根據(jù)被測(cè)管所
插放位置將測(cè)試選擇
開(kāi)關(guān)拔至A或B
4.4.1 晶體三極管參數(shù)BUCEO
測(cè)試(見(jiàn)圖A)
a將階梯輸入開(kāi)關(guān)位置
于零電流位
b根據(jù)被測(cè)管規(guī)格上要
求將X偏轉(zhuǎn)放大器(電壓
/度)、Y偏轉(zhuǎn)放大器(電
流/度)、功能電阻(KΩ)
、電壓檔級(jí)(V)均置于
合適檔級(jí)
c將加在被測(cè)管的集電極
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操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
一發(fā)射極間峰值電壓 從X軸上讀得被測(cè)管的集電極一發(fā)
由零逐漸加大至要求 射極間的反向擊穿電壓BUCEO若不
值 能達(dá)到半導(dǎo)體元件規(guī)格上要求值 Major
4.4.2 晶體三極管參數(shù)I CEO
(見(jiàn)圖B)
a將Y電流/度、X電壓
/度置于合適檔級(jí)
b按要求值選擇合適
的電壓檔級(jí)和合適的
功耗電阻以及將階梯
幅度/級(jí)開(kāi)關(guān)置于電
流/級(jí)合適檔級(jí)
c調(diào)節(jié)峰值電壓旋鈕 從Y軸上讀得被測(cè)管的集電極一發(fā)
使集電集電壓在左下方 射極間的截止電流ICEO若超過(guò)半導(dǎo)體
(NPN)或右上方(PNP 元件規(guī)格上要求值 Major
)的零點(diǎn)開(kāi)始
4.4.3 晶體三極管參數(shù)β測(cè)試
(見(jiàn)圖C)
a將X電壓/度、置于
檔級(jí);電流/度置于合
適檔位
b調(diào)功耗電阻使被測(cè)管
集電極電壓達(dá)到要求值
c選擇合適的階梯幅度
/級(jí)電流檔
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頁(yè) 號(hào) 4/8 生效日期 2004-4-8
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
d對(duì)所顯示的IB-IC
曲線進(jìn)行讀數(shù)并按 經(jīng)計(jì)算得出的被測(cè)管共發(fā)射級(jí)直
下式計(jì)算β= IC/IB 流放大倍數(shù)β若不符合半導(dǎo)體規(guī)
IB=幅度/級(jí)×級(jí)數(shù) 格上要求值 Major
4.4.4 整流二極管(整流橋
)參數(shù)IF、URM 、UF
和穩(wěn)壓二極管參數(shù) 從X軸讀取被測(cè)整流管反向峰值電壓
UZ測(cè)試(見(jiàn)圖D) URM若不能達(dá)到半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
將Y電流/度、X電 從Y軸上讀取被測(cè)管整流電流IF若不
壓/度置于合適檔級(jí), 符合半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
使在被測(cè)管正、反 從X軸上讀取被測(cè)管正向降壓UF超過(guò)
二個(gè)方向提供合適 半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
的電壓,可完成整 從X軸上讀取被測(cè)穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓值
流二極管和穩(wěn)壓二 Uz若不符合半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
極管各項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試
4.5 檢查發(fā)光二極管性能
使用發(fā)光二極管測(cè)試 被測(cè)管發(fā)光效果不符合半導(dǎo)體元件
裝置參照?qǐng)DE進(jìn)行測(cè)試 規(guī)格上要求 Major
4.6 檢查外觀 a本體表面不光潔 Minor
b引腳鍍層不均勻,有銹斑點(diǎn) Minor
c本體有傷痕或缺損 Major
4.7 檢查印字(標(biāo)識(shí))用干布
或汽油濕布擦15秒鐘 字跡不清或褪色 Major
4.8 檢查包裝 a包裝箱標(biāo)識(shí)錯(cuò)漏 Minor
b不同規(guī)格元件混裝 Major
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4.9 被禁止使用物質(zhì)的檢查
凡是物料檢驗(yàn)規(guī)格上有標(biāo)識(shí)“禁用物質(zhì)”的待檢半導(dǎo)體元件,必須對(duì)相關(guān)供應(yīng)商提供的被禁止使用物質(zhì)的第三方化學(xué)分析報(bào)告予以檢查,是否超過(guò)相關(guān)客戶(如Philips、Mattel等)的要求,合格者予以放行,不合格者退回供應(yīng)商。
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注:后三頁(yè)為圖紙,原件粘貼處理
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1.0 參考文件
1.1 P/O單;
1.2 半導(dǎo)體元件規(guī)格;
1.3 工程部所簽發(fā)樣板
1.4 OT2型晶體管特性圖示儀使用說(shuō)明書
1.5 穩(wěn)壓二極管測(cè)試裝置操作指引
1.6 發(fā)光二極管測(cè)試裝置操作指引
2.0 所包括物料范圍
晶體三極管/整流二極管/穩(wěn)壓二極管/發(fā)光二極管
3.0 允收品質(zhì)水平(MIL-STD-105E)
AQL: Critical (極嚴(yán)重)0.0
Major(嚴(yán)重) 0.25
Minor(輕微) 1.0
4.0 程序
4.1 核對(duì)所進(jìn)電子元件是否符合送貨單和P/O單等收貨資料要求
4.2 按MIL-STD-105E普通檢驗(yàn)水平Д、單次抽樣
(檢查元件尺寸之樣品數(shù)見(jiàn)4.3)
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
4.3 檢查元件尺寸: 參照半導(dǎo)體元件規(guī)格和DE所簽發(fā)樣品
依據(jù)特殊檢驗(yàn)水平 若元件本體或引腳尺寸超出半導(dǎo)體規(guī)格
S-1抽取樣品數(shù), 上要求值 Major
使用千分尺和游標(biāo)
卡尺測(cè)量
4.4 檢查晶體三極管/
整流二極管(整 參照半導(dǎo)體元件規(guī)格
流橋)等元件性能
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物料檢驗(yàn)工作指引-半導(dǎo)體元件 受控狀態(tài)
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頁(yè) 號(hào) 2/8 生效日期 2004-4-8
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
使用QT2型晶體管
特性圖示儀進(jìn)行測(cè)
試
a按QT2晶體管特性
圖示儀使用說(shuō)明書要
求進(jìn)行測(cè)試前調(diào)校
b選擇合適的測(cè)試盒
將被測(cè)管接入測(cè)試
回路中
c根據(jù)被測(cè)試管極性
選擇PNP、NPN位置
,同時(shí)根據(jù)被測(cè)管所
插放位置將測(cè)試選擇
開(kāi)關(guān)拔至A或B
4.4.1 晶體三極管參數(shù)BUCEO
測(cè)試(見(jiàn)圖A)
a將階梯輸入開(kāi)關(guān)位置
于零電流位
b根據(jù)被測(cè)管規(guī)格上要
求將X偏轉(zhuǎn)放大器(電壓
/度)、Y偏轉(zhuǎn)放大器(電
流/度)、功能電阻(KΩ)
、電壓檔級(jí)(V)均置于
合適檔級(jí)
c將加在被測(cè)管的集電極
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頁(yè) 號(hào) 3/8 生效日期 2004-4-8
操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
一發(fā)射極間峰值電壓 從X軸上讀得被測(cè)管的集電極一發(fā)
由零逐漸加大至要求 射極間的反向擊穿電壓BUCEO若不
值 能達(dá)到半導(dǎo)體元件規(guī)格上要求值 Major
4.4.2 晶體三極管參數(shù)I CEO
(見(jiàn)圖B)
a將Y電流/度、X電壓
/度置于合適檔級(jí)
b按要求值選擇合適
的電壓檔級(jí)和合適的
功耗電阻以及將階梯
幅度/級(jí)開(kāi)關(guān)置于電
流/級(jí)合適檔級(jí)
c調(diào)節(jié)峰值電壓旋鈕 從Y軸上讀得被測(cè)管的集電極一發(fā)
使集電集電壓在左下方 射極間的截止電流ICEO若超過(guò)半導(dǎo)體
(NPN)或右上方(PNP 元件規(guī)格上要求值 Major
)的零點(diǎn)開(kāi)始
4.4.3 晶體三極管參數(shù)β測(cè)試
(見(jiàn)圖C)
a將X電壓/度、置于
檔級(jí);電流/度置于合
適檔位
b調(diào)功耗電阻使被測(cè)管
集電極電壓達(dá)到要求值
c選擇合適的階梯幅度
/級(jí)電流檔
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物料檢驗(yàn)工作指引-半導(dǎo)體元件 受控狀態(tài)
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操 作 標(biāo) 準(zhǔn)
d對(duì)所顯示的IB-IC
曲線進(jìn)行讀數(shù)并按 經(jīng)計(jì)算得出的被測(cè)管共發(fā)射級(jí)直
下式計(jì)算β= IC/IB 流放大倍數(shù)β若不符合半導(dǎo)體規(guī)
IB=幅度/級(jí)×級(jí)數(shù) 格上要求值 Major
4.4.4 整流二極管(整流橋
)參數(shù)IF、URM 、UF
和穩(wěn)壓二極管參數(shù) 從X軸讀取被測(cè)整流管反向峰值電壓
UZ測(cè)試(見(jiàn)圖D) URM若不能達(dá)到半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
將Y電流/度、X電 從Y軸上讀取被測(cè)管整流電流IF若不
壓/度置于合適檔級(jí), 符合半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
使在被測(cè)管正、反 從X軸上讀取被測(cè)管正向降壓UF超過(guò)
二個(gè)方向提供合適 半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
的電壓,可完成整 從X軸上讀取被測(cè)穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓值
流二極管和穩(wěn)壓二 Uz若不符合半導(dǎo)體規(guī)格上要求值 Major
極管各項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試
4.5 檢查發(fā)光二極管性能
使用發(fā)光二極管測(cè)試 被測(cè)管發(fā)光效果不符合半導(dǎo)體元件
裝置參照?qǐng)DE進(jìn)行測(cè)試 規(guī)格上要求 Major
4.6 檢查外觀 a本體表面不光潔 Minor
b引腳鍍層不均勻,有銹斑點(diǎn) Minor
c本體有傷痕或缺損 Major
4.7 檢查印字(標(biāo)識(shí))用干布
或汽油濕布擦15秒鐘 字跡不清或褪色 Major
4.8 檢查包裝 a包裝箱標(biāo)識(shí)錯(cuò)漏 Minor
b不同規(guī)格元件混裝 Major
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頁(yè) 號(hào) 5/8 生效日期 2004-4-8
4.9 被禁止使用物質(zhì)的檢查
凡是物料檢驗(yàn)規(guī)格上有標(biāo)識(shí)“禁用物質(zhì)”的待檢半導(dǎo)體元件,必須對(duì)相關(guān)供應(yīng)商提供的被禁止使用物質(zhì)的第三方化學(xué)分析報(bào)告予以檢查,是否超過(guò)相關(guān)客戶(如Philips、Mattel等)的要求,合格者予以放行,不合格者退回供應(yīng)商。
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